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cpu芯片制作过程(图解intel芯片生产步骤)

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芯片组是构成主板的电路的核心。在某种意义上,它决定了主板的水平和档次。它被统称为“南桥”和“北桥”,是一种芯片组,最大限度地将以前复杂的电路和组件集成到几个芯片中。英特尔芯片组是专门为英特尔处理器设计的,用于将cpu连接到内存和显卡等其他设备。

沙子:硅是地壳中第二丰富的元素,而脱氧的沙子(尤其是石英)中以二氧化硅(SiO2)的形式含有高达25%的硅,这也是半导体制造业的基础。

硅熔炼:12英寸/300毫米晶圆规模,下同。这种多步提纯法可以生产出用于半导体的具有一定质量的硅,即电子级硅(EGS),平均每100万个硅原子中最多有一个杂质原子。这张图显示了如何通过硅提纯和熔炼得到大晶体。最终产品是硅锭

单晶硅锭:整体基本圆柱形,重量100公斤左右,硅纯度99.9999%。

硅锭切割:横向切割成圆形单晶硅片,又称晶圆片(Wafer)。顺便问一下,这能解释为什么晶圆是圆的吗?

晶圆:其结果是晶圆被抛光到几乎完美的表面,其表面甚至可以作为一面镜子。事实上,英特尔自己并不生产这种晶圆。相反,它直接从第三方半导体公司购买,并在直接生产线上进一步加工,例如目前的45纳米HKMG(高K金属栅格)。值得一提的是,英特尔最初的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米

光抗蚀剂:蓝色部分是在晶圆旋转过程中倒在晶圆上的光抗蚀剂液体,类似于传统薄膜。晶圆旋转使光刻胶被铺得非常薄和非常平。

光刻:光刻层随后通过掩模暴露在紫外光(UV)下,并发生类似于按下机械相机快门时发生的化学反应而溶解。掩模上印有预先设计的电路图案,紫外线通过该图案照射在光刻胶层上,形成微处理器每一层的电路图案。一般来说,晶圆上得到的电路图样是掩模上得到的图样的四分之一。

光刻:这涉及到纳米级晶体管水平。数百个处理器可以被切割成一个晶圆,但从这里我们放大其中一个,展示如何制造晶体管等组件。晶体管起着开关的作用,控制着电流的方向。现在晶体管是如此之小,大约3000万个可以装在一个针头上。

溶解光刻胶:光刻过程中暴露在紫外线下的光刻胶被溶解,留下与掩模上一致的图案

蚀刻:化学物质被用来溶解暴露的晶圆部件,而剩余的光刻胶保护不应该蚀刻的部件。

去除光刻胶:蚀刻完成后,光刻胶的任务宣告完成,全部去除后即可看到设计的电路图样。

光刻胶:再次涂上光刻胶(蓝色),然后再涂上光刻胶,将暴露的部分洗掉。剩余的光刻胶仍用于保护未植入离子的材料部分。

离子注入是在固体材料受到真空系统中被加速掺杂的庭院离子辐照时进行的,从而在注入区域形成特殊的注入层,并改变这些区域的硅的电导率。在电场的加速作用下,注入的离子流的速度可以超过每小时30万公里。

去除光刻胶:离子注入完成后,光刻胶也被去除,注入区域(绿色)被掺杂不同的原子。注意,现在绿色变了。

晶体管就绪:在这一点上,晶体管基本完成。在绝缘层(洋红色)上蚀刻了三个孔,并填满了铜,以便与其他晶体管互连。

电镀:在晶圆上镀一层硫酸铜,使铜离子沉淀到晶体管上。铜离子从正极(阳极)移动到负极(阴极)。

铜层:电镀完成后,铜离子沉积在晶圆表面,形成一层薄薄的铜层。

抛光:抛光多余的铜,即使晶圆表面光滑。

金属层:晶体管级,留下一个晶体管的组合,大约500纳米。在不同的晶体管之间形成复合互连金属层,具体布局取决于相应处理器所需的不同功能。芯片表面看起来异常光滑,但实际上它可能包含超过20个复杂的电路,放大来看,这是一个极其复杂的电路网络,就像未来的多层高速公路系统。

晶圆测试:内核级,大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆进行首次功能测试的部分,与使用参考电路模式的每个芯片进行比较。

切片:晶圆级,300mm/12英寸。晶圆被切成几块,每一块都是处理器的核心(Die)。

丢弃有缺陷的内核:晶圆级。在测试过程中发现的有缺陷的玉米粒将被丢弃,保持完整并为下一步做好准备。

包装:同一等级的处理器根据等级测试结果一起装运。

所有的设计和制造都源于科学。我们国家也非常重视科学技术的发展。我们还可以制造世界领先的芯片。

中国现在特别重视科学教育。2017年2月,教育部印发07555 -79000,小学科学已被列为与语文、数学同等重要的“基础课程”,而07555 -799000课从小学一年级开始!但在过去的两年里,作为一名小学生的家长,我发现了一个问题。这所学校不知道如何教科学。像我今年六年级的孩子,科学课基本上是死记硬背,违背了科学课的初衷。小学科学课的目标不是记住多少知识点,而是如何培养对科学的兴趣。我最担心的是孩子会对科学产生误解,认为科学很枯燥,影响中学以后物理化学的学习。所以,我经常找一些好的科学书籍给我的孩子看。最近,我发现了一套适合小孩子的科学书籍。本套书编号《义务教育小学科学课程标准》,由国内权威专家,参照小学科学课程要求编写而成。一共有12卷。适合四至十岁儿童阅读。

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