pnp晶体管三种状态的判断
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PNP型半导体晶体二极管，在电路中可以有三种不同的状态。
(1)晶体管是否处于通断状态，判断晶体管是否在基础上，给晶体加正电压，其电阻很小，根据晶体管的不同，加正电压的正电阻可以从几欧姆到几十欧姆，电阻越小晶体管性能越好，但不能为零。
晶体管处于截止状态。
当在晶体管上加反向电压时，晶体管的电阻是非常大的，根据晶体管的不同，它的反向电阻可以是几万欧元，甚至更大，但不是无限的。
晶体管坏了或烧坏了。
此时无论给晶体管加正向电压还是反向电压，晶体管的电阻都为零(击穿)或无限大。(晶体管烧坏了)
pnp晶体管三态的判断
PNP型硅三极管，当电压低于底部排放约0.6 v,集电极电压低于发射极电压超过0.4 v和高于电源电压，晶体管处于放大状态时，基准电压低于发射器比发射极电压低于0.4 v或更高，处于截止状态，当基准电压低于发射器约0.6 v,集电极电压0.3 v低于发射器和处于饱和状态。
pnp晶体管三态的判断
PnP晶体管的三种状态可以判断如下：
1. Vcelt-1V饱和区。
2、-1VltVcelt-Vc大面积。
3、Vce=-Vc或接近Vc截止区域。
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