CCD和CMOS传感器是两种应用广泛的图像传感器。它们都使用光电二极管进行光转换并将图像转换为数字数据。主要区别在于数字数据的传输方式。

左边是CCD传感器的结构，右边是CMOS传感器的接点

由于数据传输方式的不同，CCD和CMOS传感器在性能和应用上有很大的差异。这些差异包括：

1. 灵敏度差异：由于CMOS传感器的每个像素是由四个晶体管和一个光电二极管(包括放大器和A/D转换电路)组成的，因此每个像素的光敏区域远小于图像本身的表面积。因此，在相同像素尺寸的条件下，CMOS传感器的灵敏度低于CCD传感器。

2. 成本差异：由于CMOS传感器采用半导体电路中最常用的CMOS工艺，可以方便地将外围电路(如AGC、CDS、时序发生器或DSP等)集成到传感器芯片中，从而节省了外围芯片的成本；另外，由于CCD采用电荷传输方式传输数据，只要有一个像素不能运行，就会导致整排数据无法传输，所以CCD传感器产品率的控制比CMOS传感器要困难得多，即使是经验丰富的厂商也很难在产品上市的半年时间内突破50%的水平，因此，CCD传感器的成本会比CMOS传感器高。

3.分辨率差异：如上所述，CMOS传感器的每个像素都比CCD传感器复杂，其像素大小难以达到CCD传感器的水平。因此，当我们比较相同尺寸的CCD和CMOS传感器时，CCD传感器的分辨率通常要优于CMOS传感器。例如，目前可用的CMOS传感器高达210万像素(OmniVision的OV2610，于2002年6月推出)，其尺寸为1/2英寸，像素尺寸为4.25m，但索尼在2002年12月推出了ICX452。其尺寸与OV2610(1/1.8英寸)相似，但分辨率为513万像素，像素尺寸为2.78毫米。

4. 噪声差异：由于CMOS传感器的每个光敏二极管都需要配一个放大器，而放大器属于模拟电路，很难保持每个放大器的结果一致，所以与芯片CCD传感器边缘只有一个放大器相比，CMOS传感器的噪声会增加很多，影响图像质量。

5 .功耗差异：CMOS传感器的图像采集方法是有源的，光电二极管产生的电荷会被晶体管直接放大输出，而CCD传感器为无源采集，需要施加电压使每个像素电荷移动，而且除此之外通常需要达到12~18V的电压；因此，除了CCD传感器的电源管理电路设计困难(需要外部电源IC)外，高驱动电压使得其功耗远高于CMOS传感器。例如，OmniVision最新的OV7640(1/4英寸，VGA)运行速度为30 fps，功耗仅为40mW;专门生产低功耗CCD传感器的三洋公司去年推出了1/7英寸的CIF级产品，但其功耗仍在90mW以上。虽然该公司将在近期推出35mW的新产品，但与CMOS传感器仍有差距，目前仍处于样品阶段。

综上所述，CCD传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面优于CMOS传感器，而CMOS传感器具有成本低、功耗低、集成度高的特点。然而，随着CCD和CMOS传感器技术的发展，两者之间的差异正在逐渐缩小。例如，CCD传感器一直在改善其功耗，以用于移动通信市场(三洋代表);CMOS传感器在提高分辨率和灵敏度方面存在局限性，难以应用于高端图像产品。我们可以从以下各大厂商的产品规划中看出一些端倪。