5012场效应管参数
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场效应管参数:漏源电压（Vdss）为200V，漏极电流(Id)为50A，漏源导通电阻(RDS On)为42，栅源电压(Vgs)为2，栅极电荷(Qg)为150，配置类型N。这个型号是IPS场效应管，N沟道，可以尝试用IRF3710代换。
5012场效应管参数
5012 大功率MOS场效应管 125V 300A TO-247 ，场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件
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