内存时序对性能有多大影响（内存时序和性能的关系介绍）
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关于如何选择内存，玩家已经知道容量、频率、电压、粒子源等参数。但是，对于内存定时来说，它到底有什么用处，对性能有什么影响，相信很多玩家都无法回答。最近影气记忆计时为一门简单的科学，来了解一下吧。
内存计时通常由四个用破折号分隔的数字组成，所有这些数字都表示延迟或内存响应时间。当内存接收到来自CPU的指令时，通常需要几个时钟周期来处理它，例如访问一块数据，这对应于一个定时参数。处理时间越短，记忆性能越好。
存储序列中4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位为时间段。CL是一个精确的值，任何变化都会影响目标数据的位置，因此它是定时中最关键的参数，对内存性能起着决定性的作用。
CL (CAS Latency):列地址访问的延迟，这是时序中最重要的参数
RAS to CAS Delay (tRCD):表示从内存行地址到列地址的延时
RAS预充时间(tRP):存储器行地址门脉冲的RAS预充时间
RAS Active Time (tRAS): RAS激活时间
因此，在保证稳定性的前提下，存储器时序越低越好，而高频与低时序是矛盾的。一般来说，如果频率上升，时序就必须牺牲一些东西，如果时序足够低，就很难增加频率。
在测试结束时，还放置了测试性能的图表。在记忆频率不变的情况下，可以看出随着时间序列的减小，记忆性能越强。
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