euv和duv区别
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euv和duv的区别：
1、工艺范围不同。duv:基本上是25纳米。英特尔采用双工作台模型生产了10nm，但不低于10nm。euv:可满足10nm以下的晶圆制造，也可扩展至5nm、3nm。
2. 发光原理不同。duv:光源为准分子激光，波长可达193nm。激光激发等离子体发射波长为13.5纳米的极紫外光子。
3.不同的光路系统。duv:主要利用光的折射原理。在浸没式光刻中，在投影透镜和晶圆之间填充去离子水，使193nm的光波等效为134nm。euv:利用光反射原理，内部必须真空操作。
极紫外光，通常称为EUV光刻，使用波长为10至14纳米的极紫外光作为光源。具体使用波长为13.4nm的紫外光。极端紫外线意味着你需要用电流激发紫外线管的K极，然后发出紫外线。
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