DDR5内存上市已经有一段时间了，小杨也进行了测试和比较。网上或者抖音上，总有一些主播说DDR5的性能不比DDR4强多少，不需要安装DDR5内存。事实上，这是一个很大的错误。今天小杨就给大家讲讲两代人记忆的区别!

外观：我们可以直接从图片上看到。首先，PCB Layout有很大的不同。顶部有一个额外的空间来展示新出现的小芯片和电容器(这部分将在后面解释)。在将DDR3转换为DDR4的过程中，DDR5内存往往更靠近中间。虽然仍然轻微倾斜，但在安装内存时，需要更加注意DIMM的插入方向是否正确。不要直接用力压断金手指。

单根内存最大容量：DDR4支持的单根内存最大容量为32GB。当主流消费级双通道主板支持2dpcs (2dimm Per Channel)时，DDR4内存总容量为128GB。在DDR5时代，单内存最高可达128GB。例如2台DPC的主板总内存容量为512GB。在这个阶段，很难想象能同时处理多少任务。

从DDR的发展历史来看，DDR5的容量上限也非常符合过去的标准，每一代的容量上限都是上一代的四倍，这让肖洋开始期待当一块128GB的DDR5内存正式开发完成后会带来多大的影响。

开始频率：如果您是内存市场的常客，您可能已经注意到过去DDR迭代的开始频率和容量以类似的方式发展，频率增长了大约两倍，例如DDR3代为1066MHz, DDR4代为2133MHz。但是在第一批DDR5产品中，频率被定义为4800MHz，超出了4266MHz的逻辑推理。杨还没有收到任何关于未来是否会有这种频率的粒子的信息。可以肯定的是，这是一件令人高兴和期待的事情，因为最初的标准产品已经超过了基本的定义。所以超频部分相信可以有更多不同的玩法空间，值得我们去挖掘。

架构：DDR5采用由8个Bank组组成的32个Bank(可单独启用或禁用的存储单元)架构，访问可用性是DDR4由4个Bank组组成的16个Bank架构的两倍。DDR5 Burst Length(单个DRAM读/写命令可以访问的数据量)从8增加到16也是提高DDR5性能的一个关键特性。

与DDR4在刷新过程中不能进行其他操作不同，DDR5使用“Same Bank Refresh”功能，可以在刷新部分银行的同时访问其他银行的数据。另一方面，DDR5通过决策反馈均衡(DFE)消除噪声，提高整体性能。简而言之，每个DDR5芯片可以访问的数据是DDR4的两倍。

基本工作电压：随着每一代存储器的进化，存储器的基本工作电压不断降低，这意味着存储器运行更加节能。DDR3时代需要1.5V电压来支持标准内存的运行，而DDR4时代需要1.2V, DDR5时代只需要1.1V。我们将不讨论超频所需的电压。毕竟，不同超频频率所需的电压是可以调节的。这是另一个主题。

电源管理：电源管理功能以前是设置在主板上的，由主板定义内存的供电电压，但由于进入DDR5时代，基本工作电压降至1.1V，信号容差变化很小，因此内存必须具有非常好的信号识别能力，而电源管理直接移到内存上是一个极好的解决方案。

从图中可以看到，在内存上方的块中有一个额外的小芯片和一些电容器(上面提到过)，这是带有dimm的DDR5。可配置5V电源管理芯片，更有效地直接控制存储电源，提高信号完整性和噪声识别能力。总之，1.1V太低了。由主板来控制并不是很好的控制，而是直接由存储器本身来控制，但是可以比较稳定的控制电源信号。

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在DDR5时代，情况完全不同。每个IC直接提供ECC纠错功能。这种自动纠错功能使DDR5内存系统具有更高的稳定性，不会因错误而中断。

超频工作温度的关系：众所周知，超频过程中会产生大量的热量，而热量能否得到妥善处理也是影响超频的一个非常关键的因素。在DDR4(包括)之前的迭代中，内存中的芯片表面很容易产生热量。因此，在散热片的设计或极端超频的过程中，都会特别注意芯片的热处理。

但是在DDR5代中，由于PMIC的增加，PMIC本身也会发热，所以在散热的解决方案上多了一个需要考虑的点。如果不能妥善处理PMIC的发热，也会影响超频的稳定性。如果找到一种很好的方法来解决PMIC产生的热量，新型电竞超频存储器的稳定性是非常高的。绝对是DDR5这一代内存购买的首选!

这些是DDR5存储器与上一代存储器之间的关键区别。如果有关于DDR5内存的任何新的研究进展或新知识，肖杨会随时与大家分享。