半导体二极管是PN结，其特点是PN结单向导电的特点。伏安曲线常用于描述二极管的单向电导率。

以电压为横坐标，电流为纵坐标，将电压和电流的对应值用绘制的平滑曲线连接起来，形成二极管的伏安特性曲线，如下图所示(虚线为锗管的伏安特性，实线为硅管的伏安特性)。

二极管伏安特性曲线如下图所示：

1. 积极的特点

当正电压很小时，正电流非常小(几乎为零)。这部分称为死区，对应的A (A’)点上的电压称为死区电压或阈值电压(也称为阈值电压)。硅管约0.5V，锗管约0.1V，如OA (OA’)部分所示。

当正向电压超过阈值电压时，正向电流会急剧增大，二极管显示的电阻很小，处于导通状态。此时硅管的正导通压降约为0.6~0.7V，锗管的正导通压降约为0.2~0.3V，如AB (A 'B')节所示。

二极管亮时，特别注意其正向电流不能超过该值，否则会烧坏PN结。

2. 相反的特点

当对二极管两端施加反向电压时，二极管相当于在较大的初始范围内施加非常大的电阻，反向电流非常小，不随反向电压变化。此时的电流称为反向饱和电流IR，见图中OC (OC’)部分。

3.反向击穿特性

当二极管反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加。这种现象被称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压，用UBR表示，如图1.11中CD (C 'D')部分所示。

4. 温度对特性的影响

由于二极管是PN结，其电导率与温度有关。当温度升高时，二极管正向特性曲线向左移动，正向压降减小。反向特性曲线下移时，反向电流增大。