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海力士将在ISSCC 2022上讨论24GB 896GB/s HBM3和27Gbps GDDR6

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这是三星电子第三次更新正在开发中的HBM3规格。

Hynix在去年10月举行的“ISSCC 2022 (IEEE国际晶体管电路会议)”上表示,将推出速度为820GB/s的12-Hi(层)HBM3 DRAM。细节是粗略的,但会议的标题确认了速度和显存配置。它也是12层HBM3内存,容量为196Gb (24GB)。这将通过TSV(通过硅通道)自动校准和机器学习优化实现。目前尚不清楚的是,这是一种纸上原型,还是海力士打算大规模生产的产品。

Hynix的第一个HBM3规格吹嘘每引脚的数据速率为5.2Gbit/s (665GB/s),但几个月后仅更新23%至6.4Gbit/s (819GB/s)。最新的7Gbit/s显存将比10月21日公布的HBM3提供额外10%的升级。

该公司还计划讨论采用T-coil的27 Gbps GDDR6与merge - mux TX、优化的WCK操作和替代数据卖卖机。这种内存甚至比三星目前正在提供样品的24Gbps还要快。海力士的显存容量为16Gb,与三星的GDDR6和美光的GDDR6X相同。

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